中新社合肥7月16日电 (记者 张俊)记者16日从安徽大学获悉，该校杜海峰、宋东升教授团队制备出世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元，这一成果有望为未来高密度、高速度的存储技术提供关键支持。

　　斯格明子是一种特殊的磁结构，具有尺寸小、稳定性高、易于电流操控的特点。2009年，科学家首次在某些金属磁性材料中发现了这种结构。由于其独特的性质，斯格明子被认为是下一代数据存储的理想载体。然而，如何让斯格明子在纳米尺度的赛道中稳定、可控地移动，一直是科研人员面临的难题。

　　安徽大学的研究团队通过先进的聚焦离子束技术，制备出了宽度仅为100纳米的斯格明子赛道。他们还利用高时空分辨率的洛伦兹电镜技术，实现了纳秒级电脉冲驱动下的斯格明子运动。实验结果显示，80纳米大小的斯格明子能在100纳米的赛道中实现一维、稳定、高效的运动。

　　这项研究解决了两大关键问题。科研团队将器件的特征尺寸缩小到100纳米，小于之前实验中展示的最小尺寸，满足了高密度存储的需求。其次，团队通过控制电流脉冲的宽度和密度，成功稳定了斯格明子的运动，避免了其在赛道边界的偏移和消失。

　　该研究成果已发表在《自然—通讯》杂志上。研究团队的成果为开发新型的磁电子学器件奠定了基础，这些器件在未来可能会被用于更快速、更可靠的数据存储和处理技术中。(完)